Компания Samsung Electronics сообщила о старте серийного выпуска высокопроизводительной памяти GDDR5 на основе технологического процесса 50 нм. Новая память Samsung поддерживает максимальную скорость передачи данных 7,0 Гб/сек. (гигабит в секунду), что позволяет создавать более реалистичную (трехмерную) графику с максимальной полосой пропускания 28 ГБ/сек. (гигабайт в секунду) — это более чем вдвое превышает показатель предыдущей самой быстрой модели, GDDR4 (12,8 ГБ/сек.). Подобная скорость равнозначна передаче девятнадцати фильмов DVD-качества объемом по 1,5 ГБ каждый за одну секунду.

В отличие от стандарта GDDR4, в котором для обработки данных и графики применяется технология синхронизации стробирующих и тактовых импульсов, значительное увеличение скорости в GDDR5 достигается благодаря использованию независимого задающего генератора, для которого не требуется синхронизация операций чтения-записи с тактовыми импульсами.

Внедрение техпроцесса 50 нм, по оценкам компании Samsung, позволит повысить эффективность производства на 100% по сравнению с техпроцессом 60 нм. Кроме того, чипы GDDR5, работающие при питающем напряжении 1,35 В, потребляют на 20% меньше электроэнергии, чем устройства GDDR4 (1,8 В).

Новые устройства предлагаются в виде модулей 32 мегабита (Мбит) x32, но возможна также конфигурация 64 Мбит х32. Ожидается, что доля GDDR5 на рынке графической памяти в 2009 г. превысит 20%. Представители Samsung также сообщили, что компания планирует перевести все производство устройств видеопамяти на 50-нанометровый техпроцесс до конца текущего года.